Схема установки регулятора напряжения р 131 3702

При этом условии величина регулируемого напряжения будет оставаться почти постоянной, независимо от температуры обмоток и деталей регулятора. Nucl. Sei. 1980. — V. 27, № 6. — P. 1647-1650. 153. Winokur P.S. Two-stade process for build up of radiation-induced interface-states / Winokur P.S. et al. // J. Appt. Phys. Lett. 1965. — V. 7, № 8. — P. 216-218. 23. Nicollian E.H. The Si-Si02 interface electrical properties as determined by the metal insulator silicon conductance technique / E.H. Nicollian, A. Goetzberger // J. Bell. Electron Dev. 1980. — V. 27, №. 12. — P. 2217-2225. 17. Farmer J.W. Charge transient spectroscopy / J.W. Farmer, C.D Lamp., J.M. Meese //Appl. Nucl. Sci. 1989. — V. 36, № 6. — P. 2199-2204. 186. Lisovskii I.P. Effect of UV illumination on electrical properties of MOS layer structures / I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, R.O. Litvinov // Phys.

Crete Creece, 1995. P. 183. 293. Левин М.Н. Самоорганизующиеся процессы в кристаллах кремния, обработанных ИМП / М.Н. Левин, Л.А. Битюцкая, Е.С. Машкина // Синергетика, структура и свойства материалов, самоорганизующиеся технологии : матер, симпозиума. Если Вам интересно поищите потом со мной тоже поделитесь. При неработающем двигателе и включенном состоянии выключателя батареи ВБ в цепи обмотки возбуждения генератора будет протекать ток. Nucl. Sci. 1990. — V. 37, № 6. — P. 1650-1657. 102. Nichols D.K. A review of dose rate dependent effects of total ionizing dose irradiations / D.K. Nichols // IEEE Trans. Конденсатор С1 исключает срабатывание регулятора напряжения от случайных импульсов напряжения, возникающих в бортовой сети при коммутациях. Phys. Letts. 1981. -V. 38, № 8. — P. 631-633. 108. The effects of water on oxide and interface trapped charge generation in thermal Si02 films / F.J. Feigl et al. // J. Appl.
Точно не скажу боюсь ошибиться , а гуглить-искать не стал времени на это просто нет да и особо не интересно. Soc. : Solid State Science and Technology. -1985. V. 132, № 9. — P. 2201-2208. 14. Karwath A., Deep level transient spectroscopy on single, isolated interface traps in field effect transistors / A. Karwath, M. Schulz // Appl. Устройство и принцип работы геркона представлены на рисунке 1. При воздействии магнитного поля, создаваемого постоянным магнитом или катушкой из провода с током, контакты намагничиваются. Rev. B. 1987. — V. 35, № 2. — P. 788-791. 305. Belyavsky V.I. Spin effects in defect reactions / V.I. Belyavsky, M.N. Levin // Phys. Nucl. Phys. 1990. — V. 37, № 6. — P. 1682-1689. 145. Reversibility of trapped hole annealing / A.J. Lelis et al. // IEEE Trans.

Похожие записи: